介電常數(shù)測量儀

產(chǎn)品名稱：介電常數(shù)測試儀介紹

產(chǎn)品型號：LJD-B、LJD-C、QS-37

符合標準：GB/T1409、GB/T5594

產(chǎn)品用途：固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試

適用材料：橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等

測試范圍：10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ

主要配置：主機Q表、夾具、電感組成

測試項目：介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值

使用人群：科研所、教學(xué)、質(zhì)量監(jiān)督局、軍工單位等

付款方式：全款發(fā)貨

產(chǎn)品品牌：縱橫金鼎

產(chǎn)品貨期：1-3個工作日

產(chǎn)品類別：電性能檢測儀器

介電常數(shù)測量儀LKI-2電感組

LKI-2型電感組共包括不同電感量的電感9個，凡儀器在進行測試線圈的分布電容量，電容器的電容量，高頻介質(zhì)損耗，高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時，必須用電感組作輔助工具。

本電感組有較高Q值，能使儀器測量時得到尖銳諧振點，因而增加其測量的準確度，各電感的有關(guān)數(shù)據(jù)如下表：

介電常數(shù)測量儀附錄 二

一  如何測試帶粘性超薄絕緣材料的介電常數(shù)

1 用錫箔紙覆膠在材料的兩面，上下層錫箔紙不能接觸。錫箔紙厚度為DX;

2 超薄材料需要疊加：疊加方式如下

                                   250μ貼合6層后測試；

200μ貼合8層后測試；

175μ貼合9層后測試；

125μ貼合12層后測試；

100μ貼合15層后測試；

75μ貼合20層后測試；

50μ貼合30層后測試。

3 計算公式

  Σ＝(D2-2*DX)/(D4-2*DX)

4 介質(zhì)損耗系數(shù)測試同理

七、產(chǎn)品的交收檢驗

1．檢驗環(huán)境要求

a．環(huán)境溫度：20℃±2℃  相對濕度<50％；

b．供電電源：220V±10V  50Hz±1Hz；

c．被檢設(shè)備要預(yù)熱30分鐘以上。

2．檢驗設(shè)備要求

a. 設(shè)備應(yīng)在計量后的有效使用期內(nèi)；

b. 檢驗設(shè)備應(yīng)按儀器規(guī)定預(yù)熱。

3．Q值指示檢驗

a．檢驗設(shè)備：BQG-2標準線圈一套；

b．把標準Q值線圈接入LJD-C測試儀電感接線柱上；

c．選擇標準Q值線圈所規(guī)定的檢定頻率；

d．LJD-C測試儀的Q值讀數(shù)的相對誤差應(yīng)符合二.1.C條固有誤差所規(guī)定。

4．調(diào)諧電容器準確度檢驗

a. 測試時如發(fā)現(xiàn)干擾，應(yīng)斷開內(nèi)部信號源。

b．設(shè)備連接如圖六所示，連接線應(yīng)盡量短，盡可能減小分布電容；

圖  六

c．電容測試儀技術(shù)指標

   測試范圍：10-550pF、±5pF；

   測試精度：10-550pF±0.1％、±5pF±0.05pF；

d．調(diào)諧電容器刻度盤上指示值與電容測試儀指示值之間誤差應(yīng)符合二.3.條規(guī)定。

5．頻率指示誤差檢驗

a．設(shè)備連接如圖七所示

圖  七

b．從后面板的頻率監(jiān)測端用BNC電纜連至頻率計數(shù)器輸入端；

c．頻率計數(shù)器技術(shù)要求

   測量范圍：10Hz-1000MHz；

    測量誤差：<1×10^-6；

    測量靈敏度：<30mV；

d．測試線要求：高頻電纜$YV-50-3；

e．-B測試儀頻率指示值與頻率計數(shù)器讀數(shù)值間的誤差應(yīng)符合二.4.條規(guī)定。

附：貼片元件測試夾具使用方法

當采用我公司生產(chǎn)的QBG-3D/3E及LJD-C測試儀及配上相應(yīng)的貼片元件測試夾具時可對貼片電容及貼片電感進行電容量、電感量及Q值、tgδ值的測量，測量時只要將測試夾具接入相應(yīng)的Lx或Cx接線柱內(nèi)，然后按說明書中“3”高頻線圈電感值的測量及“5”電容器電容量的測量方法進行測量。

注意：因貼片元件尺寸較小，規(guī)格又不盡相同，因此放入夾具時應(yīng)保持盡量居中并保證接觸良好。

在測量小電感時，為了測試值的正確性，測得的讀數(shù)應(yīng)減去儀器的測試回路的剩余電感值，QBG-3D約27nH，QBG-3E約26nH，LJD-C約7nH（包括測試夾具）。

ASTM D150-11

實心電絕緣材料的交流損耗特性和

電容率（介電常數(shù)）的標準試驗方法¹

本標準是以固定代號D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過的年號；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號；圓括號中數(shù)字為上一次重新確認的年號。上標符號（ε）表示對上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。
　　　　本標準經(jīng)批準用于國防部所有機構(gòu)。
1.介電常數(shù)測試儀范圍
1.1 本試驗方法包含當所用標準為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

注1：在普遍的用法，“相對”一詞經(jīng)常是指下降值。

1.2 這些試驗方法提供了各種電極，裝置和測量技術(shù)的通用信息。讀者如對某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標準或直接適用于被測試材料的其它文件。^2,3

1.3　　本標準并沒有列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實際使用情況進行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險說明見7.2.6.1和10.2.1。

¹　本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會管轄，并由電學(xué)試驗D09.12附屬委員分會直接管理。

當前版本核準于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準。前一較新版本于2004年批準，即為　D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

²　R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實心絕緣材料的電學(xué)性能, 測量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.

³　R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.

2.介電常數(shù)測試儀引用文件
2.1 ASTM標準：⁴

D374 　　　　固體電絕緣材料厚度的標準試驗方法

D618 　　　　試驗用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程

D1082 　　　云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗方法

D1531 　　　用液體位移法測定相對電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗方法

D1711 　　　電絕緣相關(guān)術(shù)語

D5032 　　　用飽和甘油溶液方式維持恒定相對濕度的規(guī)程

E104 　　　　用水溶液保持相對恒定濕度的標準實施規(guī)程

E197 　　　　室溫之上和之下試驗用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）⁵

3.介電常數(shù)測試儀術(shù)語

3.1 定義：

3.1.1 這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標準D1711。

3.2 本標準術(shù)語定義：

3.2.1 電容，C，名詞——當導(dǎo)體之間存在電勢差時，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。

3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：

C=q/V 　　　　　　　　　　（1）

3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

D=K''/K' 　　　　(2)

⁴　相關(guān)ASTM標準，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，astm.org或與ASTM客服service@astm.org聯(lián)系。ASTM標準手冊卷次信息，可參見ASTM網(wǎng)站標準文件匯總。

⁵　該歷史標準的較后批準版本參考網(wǎng)站.astm.org。

3.2.2.1 討論——a：

D=tanδ=cotθ=X_p/R_p=G/ωC_p=1/ωC_pR_p　　　　　　　　(3)

式中：

G=等效交流電導(dǎo)，

X_p=并聯(lián)電抗，

R_p=等效交流并聯(lián)電阻，

C_p=并聯(lián)電容，

ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

D=ωR_sC_s=1/ωR_pC_p　　　　　　　　(4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

C_p=C_s/(1 D²) 　　　　　　　　　　　　(5)

R_p/R_s=(1 D²)/D²=1 (1/D²)=1 Q²　　　　　　　　　　　　　(6)