ATD-312型 EVA體積表面電阻率測(cè)試儀所有測(cè)試電壓（100/250/500/1000V） 測(cè)試時(shí)電阻結(jié)果直讀，免去老式高阻計(jì)在不同測(cè)試電壓下或不同量程時(shí)要乘以系數(shù)等使用不便的麻煩，使測(cè)量超高電阻就如用萬(wàn)用表測(cè)量普通電阻樣簡(jiǎn)便 EVA TPU薄膜體積表面電阻率測(cè)定儀

ATI212電阻率檢測(cè)儀既可測(cè)量超高電阻，又可測(cè)極微弱電流。采用了大規(guī)模集成電路以及的技 術(shù)，使儀器體積小、重量輕、準(zhǔn)確度高。以數(shù)字液晶顯示電阻并同時(shí)直接顯示流過被測(cè)電阻的電流。電阻量程從1×104Ω ～1×1018Ω， 電流測(cè)量范圍 為2 ×10-4A ～1 ×10-16A。

體積電阻率測(cè)試儀廠家 材料高阻測(cè)試測(cè)量如防靜電產(chǎn)品（防靜電鞋、防靜電塑料橡膠制品、計(jì)算機(jī)房防靜電活動(dòng)地板等）電阻值的檢測(cè)； 材料體電阻（率）和表面電阻（率）測(cè)量；

絕緣漆體積表面電阻率測(cè)試儀電流測(cè)量范圍： 2 ×10-4A ～1 ×10-16 A； 直接顯示電阻率； 體積小、重量輕、準(zhǔn)確度高； 獨(dú)的被測(cè)電阻、流過電阻和電阻率顯示，使操作測(cè)量更加方便

電線電纜導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀本儀器配不同的測(cè)量電極（夾具）可以測(cè)量不同材料（固體、粉體或液體）的體積電阻率和表面電阻率或電導(dǎo)率，*符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB1410－2006固體電工絕緣材料絕緣電阻、體積電阻系數(shù)和表面電阻試驗(yàn)方法，ASTM D257 絕緣材料的直流電阻或電導(dǎo)試驗(yàn)方法　等標(biāo)準(zhǔn)要求。

LST-121體積表面電阻率測(cè)試儀范圍使用環(huán)境: 溫度 -10℃～50℃ 相對(duì)濕度90%。ATI-212電阻率檢測(cè)儀 6. 測(cè)試電壓: DC10V、50V、100V、250V、500V、1000V。±10%

BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研制成功的新型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試器，適合半導(dǎo)體器件廠、材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料（片狀、棒狀）的體電阻率、方塊電阻（薄層電阻），也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻、導(dǎo)電薄層電阻，具有測(cè)量精度高、范圍廣、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、價(jià)格低等特點(diǎn)。

四探針方阻電阻率測(cè)試儀硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造；GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.